技术优势

仅衬底与气体源外购，完全达到外延自主开发与生产；

具备InGaAsP与AllnGaAs双材料外延技术；

具备掩埋型波导外延技术。

全息光栅曝光技术；

电子束相位光栅技术；

100nm纳米级线宽刻蚀技术。

多年外延经验积累，保证多次外延产品良率；

异质对接外延技术；

光器件集成技术；

高效电注入材料实现；

功能性光波导材料实现。

多年晶圆工艺细节积累；

制程参数统计管控。

引进国外全自动芯片测试机，芯片级全测把控；

常温、高温、低温筛选工温级产品（-40~95°C），以测试把控取代设计保证；

光功率、温度敏感参数、光谱、背光、发散角等重要特性参数测试与分析能力；

传纤灵敏度测试系统，提早预判客户端测试效果。

自主CoC封装设计，验证芯片级高频设计；

全温眼图与带宽测试系统，对出货产品严格把控；

RIN 测试系统，稳定产品噪声干扰。

芯片级可靠性验证，逐片考核，精确保证每一片晶圆的出货质量；

气密与非气密老化测试、高温老化测试、双85测试、低温储存、温循测试、ESD、推拉力测试。